抗辐照加固技术平台

标的名称

抗辐照加固技术平台

知识产权数量

**

标的相关知识产权基本情况

专利*

专利名称：适用于片上存储 EDAC 的可配置后台刷新方法

专利号：ZL **** * *******.*

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利*

专利名称：支持同步EDAC校验的高效取指流水线

专利号：ZL **** * *******.*

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利*

专利名称：抗单粒子翻转的D触发器

专利号：ZL **** * *******.*

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利*

专利名称：抗单粒子翻转的可复位D触发器

专利号：ZL************.*

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利*

专利名称：抗单粒子翻转的可同步复位D触发器

专利号：ZL **** * *******.*

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利*

专利名称：抗单粒子翻转的可置位D触发器

专利号：ZL ************.*

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利*

专利名称：*种抗单粒子翻转的可置位和复位D触发器

专利号：ZL **** * *******.*

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利*

专利名称：抗单粒子翻转的可置位和复位D触发器

专利号：ZL **** * *******.*

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利*

专利名称：抗单粒子翻转的扫描结构D触发器

专利号：ZL ************.X

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利**

专利名称：抗单粒子翻转可复位的扫描结构D触发器

专利号：ZL **** * *******.*

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利**

专利名称：抗单粒子翻转可同步复位的扫描结构D触发器

专利号：ZL **** ********.*

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利**

专利名称：抗单粒子翻转可置位的扫描结构D触发器

专利号：ZL **** * *******.*

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利**

专利名称：*种抗单粒子翻转可置位和复位的扫描结构D触发器

专利号：ZL **** * *******.*

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利**

专利名称：抗单粒子翻转可置位和复位的扫描结构D触发器

专利号：ZL **** * *******.*

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利**

专利名称：基于光纤探针的脉冲激光模拟单粒子效应实验系统

专利号：ZL **** * *******.*

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利**

专利名称：基于脉冲捕获的键合丝触碰短路检测方法

专利号：ZL **** * *******.*

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利**

专利名称：用于射线辐照实验的探针台系统及实验方法

专利号：ZL **** * *******.*

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利**

专利名称：基于动态输入向量的片上SET脉冲测量方法

专利号：ZL **** * *******.*

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利**

专利名称：带自纠检错的抗单粒子翻转的*模冗余D触发器

专利号：ZL **** * *******.*

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利**

专利名称：*种抗单粒子瞬态的时钟驱动电路

专利号：ZL **** * *******.*

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利**

专利名称：抗单粒子翻转的高速可置位和复位的扫描结构D触发器

专利号：ZL **** * *******.*

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利**

******理器单粒子翻转截面的测试方法

专利号：ZL **** * *******.*

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利**

专利名称：*种可编程的低噪声压控振荡器

专利号：ZL **** * *******.X

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利**

专利名称：*种针对轰击 NMOS 晶体管无面积开销的单粒子瞬态加固方法

专利号：ZL **** * *******.*

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利**

专利名称：用旋转晶体管抑制单粒子瞬态的纳米 CMOS 版图加固方法

专利号：ZL **** * *******.*

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利**

专利名称：*种可实现压控振荡器全工作电压范围振荡的偏置电路

专利号：ZL **** * *******.*

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利**

专利名称：*种基于PI型CDR数字滤波器的加固方法

专利号：ZL **** * *******.*

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利**

专利名称：*种宽量程高精度单粒子瞬态参数测试装置、方法

专利号：ZL **** * *******.*

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利**

专利名称：*种低功耗小型化单粒子瞬态参数测试装置及方法

专利号：ZL **** * *******.*

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利**

专利名称：*种抗辐照双模式的锁相环电路

专利号：ZL **** * *******.*

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利**

专利名称：*种具有抗单粒子效应功能的VCO偏置电路

专利号：ZL **** * *******.*

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利**

专利名称：抗单粒子翻转和单******接口数据编解码方法

专利号：ZL **** * *******.*

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利**

专利名称：*种具有抗辐照功能的多偏置压控振荡器

专利号：ZL **** * *******.*

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利**

专利名称：*种具有抗辐照功能的分频器电路

专利号：ZL **** * *******.*

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利**

******理器单粒子闩锁效应的测试方法及测试系统

专利号：ZL **** * *******.*

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利**

专利名称：*种SERDES单粒子功能中断截面的测试方法及测试系统

专利号：ZL **** * *******.*

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

专利**

专利名称：可消除测量电路影响的 SET 脉冲测量电路及集成电路芯片

专利号：ZL **** * *******.*

专利类型：发明专利

法律状态：已授权/有效

软件著作权*

软件名称：基于GDS格式**nm单端口抗辐照存储器编译软件（V*.*）

著作权人：中国人民解放军国防科技大学

登记号：****SR******

软件著作权*

软件名称：基于GDS格式**nm双端口抗辐照存储器编译软件（V*.*）

登记号：****SR******

软件著作权*

软件名称：基于GDS格式**nm单端口抗辐照寄存器编译软件（V*.*）

登记号：****SR******

软件著作权*

软件名称：基于GDS格式**nm双端口抗辐照寄存器编译软件（V*.*）

登记号：****SR******

软件著作权*

软件名称：基于GDS格式的**nm工艺高密度单端口抗辐照存储器编译软件

登记号：****SR*******

软件著作权*

软件名称：基于GDS格式的**nm工艺高密度双端口抗辐照存储器编译软件

登记号：****SR*******

软件著作权*

软件名称：基于GDS格式的**nm工艺高速度单端口抗辐照寄存器编译软件

登记号：****SR*******

软件著作权*

软件名称：基于GDS格式的**nm工艺高速度两端口抗辐照寄存器编译软件

登记号：****SR*******

软件著作权*

软件名称：基于GDS格式的**nm工艺高密度单端口抗辐照存储器编译软件

登记号：****SR*******

软件著作权**

软件名称：基于GDS格式的**nm工艺高密度双端口抗辐照存储器编译软件

登记号：****SR*******

软件著作权**

软件名称：基于GDS格式的**nm工艺高速度单端口抗辐照存储器编译软件

登记号：****SR*******

软件著作权**

软件名称：基于GDS格式的**nm工艺高速度双端口抗辐照存储器编译软件

登记号：****SR*******

软件著作权**

软件名称：基于GDS格式的**nm工艺高速度单端口抗辐照寄存器编译软件

登记号：****SR*******

软件著作权**

软件名称：实时电流监控软件

登记号：****SR******

软件著作权**

软件名称：组合电路软错误率分析软件 V*.*

登记号：****SR******

软件著作权**

******理器单粒子效应测试软件

登记号：****SR******

集成电路布图设计专有权*

布图设计名称：KDTS****锁相环版图

登记号：BS.*********

集成电路布图设计专有权*

布图设计名称：KDTS****锁相环版图

登记号：BS.*********

集成电路布图设计专有权*

布图设计名称：U**** DSP 用锁相环电路版图

登记号：BS.*********

集成电路布图设计专有权*

布图设计名称：FT-SD***C 电路版图

登记号：BS.*********

集成电路布图设计专有权*

布图设计名称：FT-SD****A 电路版图

登记号：BS.*********

******为

普通许可

标的简介及用途

项目简介

标的包括基于纳米平面工艺的抗辐照加固技术平台和基于纳米FinFET工艺的抗辐照加固技术平台*项内容，涉及国内**nm、**nm、**nm平面工艺和**nm FinFET工艺抗辐照加固设计技术平台，每个平台均具备单元库、通用IO库、SerDes、锁相环等*项IP设计、测试、封装、可靠性、评价试验和应用能力，满足新*代空间装备研制的迫切需求，为我国航天装备的快速持续发展提供强有力支撑。

******业分类

新*代信息技术

交易底价

人民币

（*元）

抗辐照加固设计技术平台下，每个IP项目的*次性许可费底价不低于评估值（详见其他披露内容）。永久性授权使用费为*次性授权使用费的*倍。

所属地域

湖南省长沙市

其他披露内容

共有情况

无

交易服务费

支付方式

本项目交易双方服务费由被许可方承担

*.本标的可以******许可，评估值如下：

技术永久性授权费用通常为单项技术*次性许可使用费的*倍;整体技术转让费用*般为*次性许可使用费的* 倍。

*.本项目交易价款场外结算。

*.本项目涉及的知识产权的所有权人已授权************代为转化，参与交易洽谈并签订技术交易合同等事项。

许可方

名称

************

交易条件

信息发布公告期

 ** 个工作日，信息发布期满后，如未征集到意向被许可方：不变更信息披露内容，按照**个工作日为*个周期延长，直至征集到意向被许可方。项目发布累计周期为**个月

许可家数

不限

许可年限

*年

许可区域范围

中国境内（不含港澳台地区）

许可实施领域

国防领域、航天领域

价款支付方式

*次性付款

支付

要求

具体付款时间及条件以技术交易合同约定为准。

与交易

相关的

其他条件

*、本项目信息披露时间为 **个工作日，意向被许可方在信息披露公告期间向中技所提出交易申请文件并在信息披露页面完成线上报名工作，意向被许可方需在信息披露公告截止日**时前完成交易申请文件提交及线上报名工作，逾期未完成的，视为放弃交易资格，意向被许可方经许可方确认具备交易资格后成为合格意向被许可方。

*、本项目公告期即可进入尽职调查期，意向被许可方通过资格确认并且交纳交易保证金后，即视为已详细阅读并完全认可本交易项目所涉及技术清单及证书、权属证明文件及所披露内容，已充分了解并自愿完全接受本项目许可公告内容及交易标的的现状及瑕疵，并依据该等内容以其独******接受信息披露公告******交易程序。

被许可方

资格条件

*.财务状况：良好，需提供近*个月内财务报表。

*.技术承接能力：具备研制集成电路产品的能力。

*.市场渠道：拟研制的集成电路产品在国防领域具有潜在应用前景。

******业相关性：营业范围涉及集成电路、元器件、芯片、微电子、电子信息、计算机、雷达、通信、软硬件、卫星、航空航天等，或与这些专业相近的专业。

保证金

设定

*.交纳金额： ** *元。

*.交纳截止时间：信息披露公告截止日**时前。

*.交纳方式：支付至中技所结算账户：

户名：北京登录解锁

账号：*******************

************

*.保证事项：意向被许可方须书面承诺：

（*）同意在被确定为被许可方后 ** 个工作日内与许可方签署的技术交易合同，与许可方签署技术交易合同生效后*个工作日内按合同约定支付交易价款并将交易服务费支付至中技所服务费账户。

（*）意向被******材料真实有效、不存在虚假信息，且已获得本******授权、******其每*项承诺下的所有义务。

（*）意向被许可方若发生以不了解标的的现状及瑕疵为由，发生逾期或拒绝签署技术交易合同、拒付交易价款、放弃受让或退还交易标的等情形的******为。许可方有权向意向被许可方追偿未达成交易的损失，并可单方解除技术交易合******公开交易。

（*）根据《中国技术交易所技术交易中止和终结操作指引》第**条第（*）款，意向被许可方未在承诺期限内签订技术交易合同以及其他无故不推进技术交易进程，经中技所催办仍不作为的，许可方有权向中技所申请终结项目。

******置方法：

未成交的意向被许可方的交易保证金，将在被许可方确定后**个工作日内无息返还。已成交的意向被许可方的交易保证金，将在被许可方支付首期交易价款及交易服务费后，由被许可方提出保证金退还申请，交易所审核通过后*个工作日内退还。

若非许可方原因，意向被许可方出现以下任何*种情况时，许可方有权扣除保证金，先用于抵扣中技所应收取的各项服务费，其余作为对许可方的损失补偿：

（*）意向被许可方通过资格确认后单方撤回交易申请的；

（*）被确定为被许可方后，未与许可方签署技术交易合同，或未支付交易价款及交易服务费的；

（*）意向被许可方存在其他违反交易规则、挂牌条件等要求的情形。

抗辐照加固技术平台开发过程复杂且周期较长，不确定性因素较多，为确保本次科技成果转化合作平稳推进，意向被许可方应对拟摘牌成果可能存在的技术风险予以知悉：

*.本次科技成果转化以挂牌时所披露的技术状态为现有技术的交付基准。本项目知识产权持有方保障科技成果转化所涉现有技术的真实性及合法性，但因科技成果转化过程中，科技知识的持续演进、认知水平的固有局限、试验条件的差异波动及政策法规的动态变化等客观因素制约，科技成果转化在实施过程中仍存在无法达成预期目标的可能性。

*.可能面临国家、军队政策调整、审批监管等相关原因造成的风险。

*.其他可能存在的技术风险。

针对以上技术风险，意向被许可方摘牌时视为已知悉并完全接受。须在本告知书下注明“我单位已知悉并接受相关风险”并加盖单位公章。技术交易合同签订后，技术风险的发生与科技成果转化合同金额及支付条件均无关系，发生技术风险******承担且该风险不影技术交易合同所约定的许可方以及知识产权持有方的收益。